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美国南伊利诺伊大学助理教授吕超博士应邀到我院讲座
2017-06-20 11:29  

近日,美国南伊利诺伊大学助理教授吕超博士应邀到我院讲座,报告题目为《三维集成电路设计介绍与实例》。 

随着晶体管沟道长度达到20-30纳米的范围,摩尔定律的效应正在减慢。CMOS技术正在遇到诸如工艺随机变动,漏电流增加,光刻限制和产量可靠性的问题。全球投入了大量的研究工作来克服这些问题,并使得摩尔定律可以继续下去。晶体管沟道缩小所带来的好处即将结束,进一步整合产品尺寸和能源效率的愿望并没有结束,消费者仍然希望以更低的成本和更高的功率效率获得更多的功能。研究人员近年已经提出了使用硅通孔互连的多个硅片堆叠的三维集成电路技术,并且其中一些应用在一些产品中。吕超博士凭借出色的学术研究成果和丰富的业界产品开发经历,生动形象的为集成电路专业的同学讲解三维集成电路的发展,讨论它的优点,挑战,制作过程,电气特性,并介绍现有的几个工业界的设计实例,使同学们同学们听后受益匪浅。 

 

 

吕超博士,2004年本科毕业于南开大学微电子专业,2007年硕士毕业于香港科技大学,2012年毕业于美国普渡大学并获得电子与计算机专业博士学位,师从于国际集成电路学界领军人物Kaushik Roy教授(IEEE院士,讲席教授)。在美国波士顿和芝加哥的高科技创业公司就职3年后,2015年起任职于美国南伊利诺伊大学助理教授,领导大规模集成电路系统设计实验室。 

 

 

会后,吕超博士与同学们还对三维集成电路的相关问题、集成电路的发展动态、今后考研、出国、自己的发展方向等内容进行了深入的交流。 

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